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半導(dǎo)體及材料測試

半導(dǎo)體材料的突破帶來了一場技術(shù)革命，引領(lǐng)了尖端新器件的研發(fā)。3DFlash存儲器、人工智能芯片、MEMS/sensor芯片、GaN/SiC功率半導(dǎo)體器件等前所未有的應(yīng)用推動著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

二極管 / 晶體管 / 場效應(yīng)管 IV曲線測試

半導(dǎo)體應(yīng)用案例
二極管IV曲線測試
IV曲線測試

DC到DC轉(zhuǎn)換器測試

半導(dǎo)體應(yīng)用案例
DC到DC轉(zhuǎn)換器測試

SMUs可以讓用戶靈活地同時提供和測量電流和電壓。VOUT端子上的電流源使得用戶能夠改變負(fù)載。 通過使用兩條通道，吉時利SMU進(jìn)一步簡化了測試，因為用戶只需要對一臺儀器編程。

IGBT/power nMOSFET等大功率器件測試

半導(dǎo)體應(yīng)用案例
大功率器件測試

典型參數(shù)

  • 擊穿電壓(Bvdss, Bvceo)
  • 開態(tài)電流(Vdson, Vcesat, Vf)
  • 漏極/集電極泄漏(Idss, Ir/Icbo,Iceo)
  • 閾值或截止電壓(Vth, Vf, Vbeon)
  • 基極泄漏(Igss, Ib)
  • 正向傳輸(yfs, Gfs, Hfe, gain)
  • 電容 (Ciss, Coss, Crss)
配置選型指南
型號1 集電極/漏極電源2 階躍發(fā)生器 基極/柵極 電源 輔助 電源
高壓 模式 高流 模式
低功率 2600-PCT-1B 200 V/10 A 200 V/10 A 200 V/10 A N/A
高流 2600-PCT-2B 200 V/10 A 40 V/50 A 200 V/10 A 200 V/10 A
高壓 2600-PCT-3B 3 kV/120 mA 200 V/10 A 200 V/10 A 200 V/10 A
高流和高壓 2600-PCT-4B 3 kV/120 mA 40 V/50 A 200 V/10 A 200 V/10 A
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